基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块

发布时间：2026-07-10 17:23:16 来源：沈阳格瑞纳铝业有限公司 作者：知识

Pcore2 34mm

基本半导体推出34mm封装的基本全碳化硅MOSFET半桥模块，该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术，半导半桥在比导通电阻、体推开关损耗、全碳可靠性等方面表现更出色。化硅

BMF80R12RA3产品与高速大电流IGBT在20kW逆变焊机应用工况中进行电力电子仿真对比。模块仿真数据表明，基本碳化硅MOSFET功率模块可在80kHz以上的半导半桥开关频率下运行，且相较于IGBT，体推其总损耗还能再降低至50%左右。全碳

此外，化硅基本半导体针对34mm模块在逆变焊机的模块应用，可提供碳化硅MOSFET驱动板整体解决方案及其零件。基本

产品拓扑

产品特点

基本半导体第三代碳化硅MOSFET芯片技术

性能显著提升

低导通电阻

高温下RDS(on)表现优异，半导半桥导通损耗更低，体推稳定性强

低开关损耗

支持高频运行，功率密度大幅提升

高工作结温

Tvj=175℃

应用领域

高端工业电焊机

感应加热设备

工业变频器

电镀电源

产品列表

产品性能实测数据(BMF80R12RA3)

1. 静态参数测试

2. 动态参数测试

碳化硅MOSFET开关速度较快，常温和高温开关损耗较低；

BMF80R12RA3在高压800V，大电流80A时，无论在常温或是高温下，碳化硅MOSFET本身以及体二极管的关断电压尖峰均在1200V以内，关断电压尖峰小。

BMF80R12RA3开关波形（Tj=150℃）

测试条件：

VDC=800V;ID=80A; RG(on)=15Ω, RG(off)=8.2Ω, VGS(op)=-4V/+18V。

测试条件：

VDC=800V;ID=160A; RG(on)=15Ω, RG(off)=8.2Ω, VGS(op)=-4V/+18V。

H桥硬开关拓扑电力电子仿真——焊机应用

1. H桥硬开关拓扑电力电子仿真(BMF80R12RA3)

电力电子仿真基于产品（器件或模块）的PLECS模型，模拟用户实际的工况条件和运行模式，根据产品的评估结果，判断其可行性，给用户在实战前一个非常好的参考。

仿真80℃散热器温度下，电焊机功率20kW工况下，在全桥拓扑中，我司BMF80R12RA3与传统IGBT模块的损耗表现。

2. 仿真结果(BMF80R12RA3)

仿真结论：BMF80R12RA3与高速IGBT的仿真数据相比，即使开关频率从传统IGBT的20kHz提升到碳化硅MOSFET的80kHz，在同样20kW的功率情况下，碳化硅的总损耗在B***模块的一半左右，整机效率提高接近1.58个百分点，表现非常优异。

采用碳化硅MOSFET模块，可提高开关频率，并减小整台焊机的质量、体积和噪声，提高整机效率，同时加快动态响应速度、输出电流及功率的控制将更加精准，使得焊接电源实施更高质量的焊接工艺控制变得更容易。

基本半导体提供碳化硅MOSFET驱动板整体解决方案及其零件——针对34mm

BSRD-2427所应用到的以下三款零件为基本半导体自主研发产品，用户可单独使用以下零件进行整体方案的设计。

关于基本半导体

深圳基本半导体股份有限公司是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心团队由来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学等国内外知名高校及研究机构的博士组成。

基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于电动汽车、风光储能、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。

基本半导体是国家级专精特新“小巨人”企业，承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的众多研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。

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